Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2366DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2366DS
SI2366DS-T1-GE3 Hakkında
SI2366DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) kapasitesine sahip olup, 25°C'de sürekli 5.8A drain akımı sağlayabilir. SOT23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (36mOhm @ 10V, 4.5A) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. Maksimum 1.25W (Ta) veya 2.1W (Tc) güç dağıtabilir. Gate charge değeri 10nC ve input capacitance 335pF'dir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 335 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok