Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2365EDS
SI2365EDS-T1-GE3 Hakkında
SI2365EDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 5.9A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-236 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç yönetimi, anahtarlama devreler, güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Gate charge 36nC olup, hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok