Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2351DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2351DS
SI2351DS-T1-GE3 Hakkında
SI2351DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim, 2.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate geriliminde 115mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 5.1nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Pil yönetim devreleri, güç anahtarlama uygulamaları, load switch devreleri ve düşük gerilimli güç denetimi gibi uygulamalarda kullanılabilir. Kompakt boyutu nedeniyle alan kısıtlı tasarımlarda tercih edilir. Ürün şu anda üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok