Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2351DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2351DS
SI2351DS-T1-E3 Hakkında
SI2351DS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 2.8A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 115mΩ maksimum on-direnci (Rds) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve gerilim regülatörleri gibi çeşitli elektronik uygulamalarda kullanılır. 5.1nC gate charge ve 250pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ürün kullanım dışı (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok