Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2342DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2342DS
SI2342DS-T1-GE3 Hakkında
SI2342DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 6A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 17mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. SOT-23-3 paket tipi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun miniature boyutta sunulur. Gate charge değeri 15.8nC olup hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. Tüketici elektroniği, güç yönetimi, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sınırları belirlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1070 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok