Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2341DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2341DS
SI2341DS-T1-GE3 Hakkında
SI2341DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source geriliminde çalışabilir ve maksimum 2.5A sürekli drain akımı sağlayabilir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulur. 72mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 710mW güç dağıtabilir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve load switch tasarımlarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde optimal performans gösterir. Ürün güncel üretimde olmayıp eski stok olarak temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok