Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2341DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2341DS
SI2341DS-T1-E3 Hakkında
SI2341DS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source geriliminde 2.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu komponent, SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. 72mOhm maksimum on-state direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate şarj kapasitesi 15nC, giriş kapasitanı 400pF'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya kontrol sistemleri ve düşük voltaj güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. NOT: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumda olup, yeni tasarımlarda alternatif bileşen değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok