Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2338DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2338DS
SI2338DS-T1-GE3 Hakkında
SI2338DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 6A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 28mΩ maximum on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. SOT-23 paketinde sunulan bu komponentin geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) endüstriyel ve tüketici elektroniğinde uygulanmasını mümkün kılır. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 4.5V-10V gate drive voltajı ile CMOS ve TTL lojik seviyesi ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 424 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok