Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2337DS
SI2337DS-T1-GE3 Hakkında
SI2337DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2.2A sürekli dren akımı ve 270mOhm (10V, 1.2A'de) düşük on-direnci özellikleri vardır. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. Gate charge 17nC olup hızlı anahtarlama gerektiren güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüsü ve DC-DC konvertör uygulamalarında tercih edilir. -50°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışır ve maksimum 760mW (Ta) güç tüketir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok