Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2337DS
SI2337DS-T1-E3 Hakkında
SI2337DS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj ve 2.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 270mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -50°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığına sahip olan SI2337DS, güç yönetimi, motor kontrolü, yük anahtarlaması ve gerilim regülatör uygulamalarında tercih edilir. 17nC gate charge ve 500pF input kapasitans değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok