Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2336DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2336DS
SI2336DS-T1-GE3 Hakkında
SI2336DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 5.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 42mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya elverişlidir. SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, PWM kontrolü, güç yönetimi, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve mobil elektronik uygulamalarına uygun hale getirmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok