Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2335DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2335DS
SI2335DS-T1-GE3 Hakkında
SI2335DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle, düşük güçlü switching uygulamalarında kullanılır. 51mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Kompakt SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, batarya kontrol sistemleri, load switching ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok