Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2335DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2335DS
SI2335DS-T1-E3 Hakkında
SI2335DS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 3.2A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 51mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketlemesi kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve genel amaçlı logic level switching işlemlerde kullanılır. Gate kapasitansı 1225pF ve gate yükü 15nC değerleriyle hızlı anahtarlama gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok