Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2333DS
SI2333DS-T1-GE3 Hakkında
SI2333DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilim ve 4.1A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (32mΩ @ 4.5V) ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan SI2333DS, güç yönetimi devrelerinde, LED sürücülerinde, batarya koruma sistemlerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 750mW maksimum güç tüketimiyle kompakt tasarımlara uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 5.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok