Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2333DDS
SI2333DDS-T1-GE3 Hakkında
SI2333DDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 6A sürekli akım kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 4.5V gate voltajında 28mΩ olarak belirtilmiştir. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 35nC gate charge ve 1275pF input capacitance değerleriyle düşük driver gereksinimlerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve battery management sistemlerinde kullanılan kompakt bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1275 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok