Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2333CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2333CDS
SI2333CDS-T1-GE3 Hakkında
SI2333CDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V Vdss ile 7.1A sürekli drain akımı sağlayabilir. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate voltajında 35mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 25nC gate charge ve 1225pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde elektronik kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok