Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2333CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2333CDS
SI2333CDS-T1-E3 Hakkında
SI2333CDS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajı ve 7.1A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 35mΩ on-state direnci (Rds On) sayesinde düşük ısıl kayıplar sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, anahtarlama, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok