Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2331DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2331DS
SI2331DS-T1-GE3 Hakkında
SI2331DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, maksimum 3.2A sürekli drenaj akımı sağlar. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan transistör, düşük RDS(on) değeri (4.5V'ta 48mOhm) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, inverter tasarımları ve düşük güçlü kontrol uygulamalarında kullanılır. Gate kapasitansı 780pF olup hızlı anahtarlama için uygundur. Şu anda üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok