Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2331DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2331DS
SI2331DS-T1-E3 Hakkında
SI2331DS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilim desteği ve 3.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 48mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Mobil cihazlar, güç kaynakları, pil yönetim devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 14nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok