Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2329DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2329DS
SI2329DS-T1-GE3 Hakkında
SI2329DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, batarya yönetimi, güç dağıtımı, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1485 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok