Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2328DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2328DS
SI2328DS-T1-GE3 Hakkında
SI2328DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 1.15A sürekli dren akımı ile çalışmaktadır. 250mΩ (maksimum) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve düşük güç tüketimli cihazlarda kullanılır. 5nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 730mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok