Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2328DS-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2328DS
SI2328DS-T1-E3 Hakkında
SI2328DS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltajı ve 1.15A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 250mOhm Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, küçük güç dönüştürücüleri, LED sürücüleri ve genel amaçlı lojik kontrol uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürüş voltajında çalışır ve 5nC gate yükü ile düşük enerji tüketimine katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 730mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok