Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2327DS-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2327DS
SI2327DS-T1-E3 Hakkında
SI2327DS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim derecelemesi ve 380mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında yer alır. 2.35Ω maksimum RDS(on) değeri ile minimum iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 750mW güç dağıtabilir. Surface mount montajı sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun bir çözümdür. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, yerine kullanılabilir alternatif bileşenlerin araştırılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 380mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.35Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok