Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2325DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2325DS
SI2325DS-T1-GE3 Hakkında
SI2325DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V Drain-Source voltaj desteği ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 530mA sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.2Ω (10V, 500mA'da) düşük On-Resistance değeri ile enerji yönetimi sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve load switching işlemleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı, geniş sıcaklık koşullarında güvenilir operasyon sağlar. 750mW maksimum güç tüketimi ve hızlı anahtarlama özelliği sayesinde verimli devre tasarımlarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 530mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok