Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2324DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2324DS
SI2324DS-T1-GE3 Hakkında
SI2324DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 2.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponentin maximum kapalı durum direnci (Rds On) 234mOhm'dur. 10V gate voltajında 10.4nC gate yükü ve 190pF giriş kapasitansı özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilmesini sağlar. ±20V maksimum gate-source voltaj aralığında çalışabilir ve -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında kullanılabilir. Güç yönetimi, motor sürücüleri, aydınlatma kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 234mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok