Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2324DS-T1-BE3
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2324DS
SI2324DS-T1-BE3 Hakkında
SI2324DS-T1-BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile küçük sinyal ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23 (TO-236) SMD paketinde sunulan bu transistör, 234mΩ on-resistance (Vgs=10V'da) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gömülü sistemler, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve analog anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.5W (Tc) güç yayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta), 2.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 234mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok