Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI2323DS-T1

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SI2323DS

SI2323DS-T1 Hakkında

Vishay SI2323DS-T1, 20V ve 3.7A sürekli drenaj akımı ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 39mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli bir şekilde çalışabilen SI2323DS-T1, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve motor kontrolü gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. 750mW maksimum güç dağıtımı ve ±8V Vgs sınırları ile çeşitli analog ve dijital devre tasarımlarına entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok