Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2323DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2323DDS
SI2323DDS-T1-GE3 Hakkında
SI2323DDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23 (TO-236-3) paketinde sunulan bu bileşen, 20V Drain-Source gerilimi ve 5.3A sürekli drenaj akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. 39mΩ (4.5V Vgs'de) düşük RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya koruma sistemleri ve genel amaçlı anahtarlamada kullanılır. 1V eşik gerilimi ile hızlı ve kontrollü anahtarlama işlemini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok