Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2321DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2321DS
SI2321DS-T1-GE3 Hakkında
SI2321DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile entegre devrelerin anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 57mΩ (Rds On) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı pakete sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate kapasitansi 715pF ve gate yükü 13nC değerleriyle hızlı anahtarlama gerektiren güç yönetimi, oto kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 710mW maksimum güç tüketimi ile verimliliktir. Lojik devre seviyesi uyumlu 1.8V ve 4.5V sürme voltajı ile çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 715 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok