Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2319DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2319DS
SI2319DS-T1-GE3 Hakkında
SI2319DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 2.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 82mOhm maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, güç yönetimi, anahtarlamalar ve sinyal kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 750mW güç tahlifi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok