Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2319DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2319DDS
SI2319DDS-T1-GE3 Hakkında
SI2319DDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj desteği ve 2.7A (Ta) / 3.6A (Tc) drain akımı kapasitesi ile sahip olan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. 75mΩ maksimum RDS(on) direnci ve 19nC gate charge değeri ile hızlı komutasyon özelliği sunar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Kompakt SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, batarya devreleri, LED sürücüleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok