Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2319CDS
SI2319CDS-T1-GE3 Hakkında
SI2319CDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj kapasitesi ve 4.4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketidir. 77mΩ maksimum on-state direnci (10V Vgs'de 3.1A'de) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Gate charge 21nC ve input kapasitansi 595pF'dir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 1.25W (Ta) maksimum güç tüketimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 595 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok