Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2318DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2318DS
SI2318DS-T1-GE3 Hakkında
SI2318DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim desteği ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 45mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. SOT-23-3 kompakt paket içinde tasarlanmıştır. Tüketici elektroniği, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılan bir komponendir. ±20V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı desteği sayesinde çeşitli endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok