Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2318DS-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2318DS
SI2318DS-T1-E3 Hakkında
SI2318DS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilim ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 45mΩ maksimum On-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve lojik seviye transistör uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 750mW güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok