Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2316BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2316BDS
SI2316BDS-T1-E3 Hakkında
SI2316BDS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj derecelendirilmesi ve 4.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate voltajda 50mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236) kompakt yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (9.6 nC) ve düşük input capacitance (350 pF) özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücü devreleri ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok