Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2314EDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2314EDS
SI2314EDS-T1-E3 Hakkında
SI2314EDS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim, 3.77A sürekli drain akımı ve 33mOhm RDS(On) değerleri ile düşük güç kayıpı sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, gating uygulamalarında, düşük gerilim anahtarlama devrelerinde ve DC/DC dönüştürücülerde kullanılır. ±12V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulanabilirlik sunar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında ve 750mW maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.77A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok