Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2312CDS
SI2312CDS-T1-GE3 Hakkında
SI2312CDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ile 6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketine sahip olan bu bileşen, 31.8mOhm (4.5V Vgs'te) maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 18nC (@5V) ve input capacitance 865pF (@10V) olarak belirtilmiştir. 1.25W (Ta) ve 2.1W (Tc) güç dağıtım kapasitesi bulunmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve genel amaçlı kontrol devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 865 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31.8mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok