Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2312BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2312BDS
SI2312BDS-T1-GE3 Hakkında
SI2312BDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.9A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 31mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve düşük voltaj analog/dijital sistemlerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok