Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2309DS-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2309DS
SI2309DS-T1-E3 Hakkında
SI2309DS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.25A sürekli drain akımı ile çalışır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 340mOhm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük gate charge (12nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Enerji yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlaması ve diğer güç kontrol devrelerinde uygulanır. Bileşen üretimi durdurulmuş olup (obsolete) stok tükenme aşamasındadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok