Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2309CDS
SI2309CDS-T1-GE3 Hakkında
SI2309CDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük sıcaklıkta 345mΩ (10V, 1.25A) on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.7W güç tüketimi (Tc) ile belirtilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve genel amaçlı kontrol devrelerinde kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 345mOhm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok