Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2308BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2308BDS
SI2308BDS-T1-E3 Hakkında
SI2308BDS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 2.3A sürekli drain akımı ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 156mΩ (10V gate voltajında) düşük on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. SOT-23-3 kompakt yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, ses amplifikatörleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.66W (25°C'de) güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok