Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2307CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2307CDS
SI2307CDS-T1-GE3 Hakkında
SI2307CDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 3.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 88mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış dirençli tasarım sunar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır ve 1.8W (Tc) güç saçımına dayanır. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, LED sürücü kontrol sistemlerinde ve düşük gerilim yük kontrolünde yaygın olarak kullanılır. 6.2nC gate charge ve 340pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon için uygun performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok