Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2307CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2307CDS
SI2307CDS-T1-E3 Hakkında
SI2307CDS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 88mΩ (10V, 3.5A'da) düşük on-state direnci ile verimli enerji yönetimi sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, batarya yönetimi, güç dağıtımı, sensör arayüzleri ve portatif elektronik cihazlarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V voltaj seviyeleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok