Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2307BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2307BDS
SI2307BDS-T1-E3 Hakkında
SI2307BDS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile çalışır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 78mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiş tasarımı, kontrol elektroniği ve küçük sinyal anahtarlama uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok