Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2306BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2306BDS
SI2306BDS-T1-GE3 Hakkında
SI2306BDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 3.16A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 47mOhm maksimum on-direnci (10V gate voltajında) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, küçük güç yönetimi ve lojik kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygundur. 5V gate sürüşü ile standart lojik seviyeleri destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.16A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 305 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok