Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2305DS-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2305DS
SI2305DS-T1-E3 Hakkında
SI2305DS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V Vdss ve 3.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 15nC gate charge ve 1245pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon gerektiren devrelerde uygulanabilir. Düşük voltaj DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlaması, sinyal anahtarlaması ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1245 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok