Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2305CDS
SI2305CDS-T1-GE3 Hakkında
SI2305CDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source gerilim (Vdss) ve 5.8A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance (35mΩ @ 4.5V) ile verimli anahtarlama işlemleri sağlar. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunur. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, batarya koruma sistemleri ve düşük voltaj uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 30nC gate charge ve 960pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama için uygun tasarımlandığını gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok