Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2304DS,215
MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2304DS
SI2304DS,215 Hakkında
SI2304DS, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 1.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-236AB (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, 117mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık durum direncine sahiptir. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen SI2304DS, genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve sinyal kontrolü için uygundur. Düşük gate şarj gereksinimleri (4.6nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Yüksek entegrasyon ve kompakt tasarım gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok