Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2304DDS
SI2304DDS-T1-GE3 Hakkında
SI2304DDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim aralığında çalışan bu bileşen, 3.3A (Ta) ve 3.6A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 60mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışma sunan bileşen, düşük gate charge (6.7nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok