Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2303BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2303BDS
SI2303BDS-T1-GE3 Hakkında
SI2303BDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesi ve 1.49A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 200mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 (TO-236) kompakt paketine sahip olup, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Küçük sinyal anahtarlama, load switching ve akım kontrol devrelerinde uygulanır. 700mW maksimum güç tüketimi ile sınırlı güçlü uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.49A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok